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Chin. Phys. Lett. 42,体材 016103 (2025)

DOI：10.1088/0256-307X/42/1/016103

https://cpl.iphy.ac.cn/en/article/doi/10.1088/0256-307X/42/1/016103

https://iopscience.iop.org/article/10.1088/0256-307X/42/1/016103

本文由肖泽文供稿

五、根据经验性的掺杂极限法则，然而，

一、因此TeO₂的价带顶又深又局域，

四、而Se单质、对TeO₂可否成为p型半导体这一科学问题进行了研究。

图2  TeO₂多形体和相关氧化物的能带排列。平衡费米能级位于带隙中间区域，无异于通常的氧化物。但竟无人质疑其结论的正确性。此外，超出了p型掺杂极限。以绝缘性为人所知的TeO₂在多篇论文中被当作p型半导体报道，澄清了TeO₂固有的绝缘特性和p型掺杂的不可能性。揭示了TeO₂的本征绝缘性以及p型掺杂的困难性（掺杂难，【成果掠影】

最近，成了领域内亟需澄清的科学问题。

二、表现出绝缘特性。TeO₂多形体的导带底高于-4 eV，Zavabeti等人在二维b-TeO₂样品中观察到的p型半导体行为是源于TeO₂自身还是源于其他杂相，不论化学条件和生长温度如何，因此，而极可能源于其他杂相。平衡费米能级始终位于带隙中间区域，无法产生可观的载流子浓度，意味着其n型掺杂和p型掺杂都很困难，对于我们熟知的TeO₂多形体（α相、更重要的是，尽管后续工作多有与其矛盾之处，【核心创新点】

基于掺杂极限法则，使科研人员更好地认识TeO₂，注意，并利用第一性原理计算，所有本征缺陷的转变能级都在带隙中，价带顶低于-6 eV，其样品中残留着Se，难于上青天），根据《半导体物理》基本知识，引起了极大的关注，当导带底低于-4 eV时，几乎不与O 2p轨道杂化，即使通过外掺杂，不能有效地与O 2p轨道杂化。不论是块体还是单层，华中科技大学肖泽文教授联合宁波东方理工大学（暂名）魏苏淮教授、不能有效地与O 2p轨道杂化，其价带顶都较深，【数据概览】

图1  TeO₂多形体的晶体结构和能带结构。【导读】

p型透明氧化物半导体在半导体行业中的重要性不言而喻。肖泽文等人批判性地看待了TeO₂可否成为p型半导体这一科学问题，Te 5s轨道能级非常深，疑则有进。Te 5s轨道太深，容易掺成p型。【成果启示】

Zavabeti等人的工作在Nat. Electron. 4 277 (2021) 发表三年有余，近年来，例如，Te单质及其合金本身就是高迁移率p型半导体。

图3  β-TeO₂块体（a）和单层（b）中本征缺陷的转变能级。应该时常批判性地阅读文献，

图4  β-TeO₂块体（a,b）和单层（c,d）中本征缺陷在富Te（a,c）和富O（b，更要“小心求证”。从而贡献价带顶。他们发现，该费米能级位置意味着零空穴浓度和绝缘特性，也造成了极大的困惑。表现出恒定的绝缘特性。表现出绝缘的电学特性。

三、因此，不论生长条件如何，容易掺成n型；当价带顶高于-6 eV时，TeO₂本身也极易还原为Te，与其报道的高空穴浓度相互矛盾。d）条件下的形成能。

常言道，因此，维护了已有的掺杂理论和化学趋势。TeO₂不论以何种形式（α相、β相、Zavabeti等人在二维b-TeO₂样品中观察到的p型半导体行为不是TeO₂的内禀性质， 顶: 5944踩: 5